从行业基本面来看,存储芯片的景气度依然处于上升通道,并未出现拐点。集邦咨询最新预测显示,三季度DRAM合约价将环比上涨13%到18%,NAND上涨10%到15%,瑞银更是将DDR合约价预测大幅上修至32%。需求端已发生结构性转变,AI服务器将在2026年占据DRAM需求的半壁江山,SK海力士的HBM订单甚至已经排到了2030年。与此同时,供给端受限于晶圆厂18到36个月的建设周期,韩国政府虽宣布投入800万亿韩元建设新厂,但产能释放尚需时日。利润创新高、产能未过剩、价格持续上涨,构成了当前存储板块坚实的产业底座。
然而,与坚挺的基本面形成剧烈反差的是,韩国存储股在过去两周经历了惨烈暴跌,KOSPI一度跌入技术性熊市。三星电子在公布营业利润89.4万亿韩元、同比暴涨1810%的炸裂财报后,股价不涨反跌,盘中一度重挫近10%。这种市场表现与产业逻辑的背离,极易让人误判为周期见顶,但究其根本,这并非基本面恶化,而是一场由资金面主导的跨市场套利行情。
导致此次暴跌的“真凶”,是SK海力士在纳斯达克进行的ADR发行。作为全球规模最大的外国公司IPO,该项目募资约280亿美元,导致大量国际机构为了筹集美元资金认购ADR,被迫抛售持有的韩国市场正股。瑞银明确建议投资者“买入ADR、卖出韩股”,这一策略直接导致外资连续13个交易日净卖出韩股,SK海力士两周内跌去26%。这纯粹是资金搬家引发的机械性抛压,随着7月9日ADR定价落定,卖压释放,股价随即反弹,印证了其与行业周期无关。
除此之外,市场情绪还受到了Meta宣布推出MetaCompute、对外出租AI算力的冲击。这一举动引发了市场对“AI基建可持续性”的担忧,质疑巨头资本开支是否已超越真实需求。虽然这一叙事动摇了GPU产业链的估值逻辑,但并未传导至存储芯片。SK海力士与英伟达的长期合作锁定了未来几年的HBM订单,AI算力租赁的担忧在存储供需面前显得并不适用。
具体到三星电子,其股价下跌叠加了“买预期卖事实”与权重股拖累的双重因素。由于年内累计涨幅近158%,市场早已对利润超预期有所准备,财报发布反而成了获利了结的节点。同时,作为KOSPI第二大权重股,三星在SK海力士遭遇外资抛售时被连带错杀。此外,资本开支向上游设备商转移的趋势,也在短期内影响了市场对三星利润留存能力的预期。
综合来看,近期存储板块的震荡是资金流与情绪面共同作用的结果,而非产业周期的终结。从资金流看,这是ADR套利引发的短期流动性冲击;从情绪看,这是AI叙事分化带来的估值修正;但从产能结构和价格趋势看,行业依然处于供不应求的紧平衡状态。存储芯片的基本面逻辑未变,变化的只是资金的交易场所,从首尔搬到了纽约。
盈利新高市值蒸发:谁在砸盘存储股?
本文核心解答了近期全球存储芯片板块利润创新高却股价暴跌的疑问,拆解了事件来龙去脉,核心干货如下: 1. 此次存储股大跌并非行业周期见顶,也不是基本面恶化,本质是SK海力士以ADR形式赴美IPO募资,国际机构卖出韩国市场持有的正股腾挪资金认购ADR,属于跨市场资金搬家,卖压释放后股价已经快速回弹。 2. 三星电子单季营业利润创全球科技企业新纪录,同比涨1810%却股价跳水,一方面是好消息提前被市场充分炒作,属于买预期卖事实,另一方面是被SK海力士的抛售连带影响,叠加短期情绪放大了跌幅。 3. 当前存储芯片行业基本面没有发生变化,需求和价格仍保持上涨,HBM高端订单已经排到2030年,短期恐慌不改变长期景气趋势。
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